半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)技術(shù)為現(xiàn)代物理做出了巨大貢獻。異質(zhì)結(jié)，尤其是雙異質(zhì)結(jié)包括量子阱、量子線量于點的研究占據(jù)了半導(dǎo)體物理研究的2/3。異質(zhì)結(jié)通過摻入不同的雜質(zhì)來控機生導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率。異質(zhì)結(jié)可以控制半導(dǎo)體晶體和器件的基本參數(shù);如帶隙電荷載流子的有效質(zhì)量及其移動性、折射率和電子能量譜等。

　　高倍聚光系統(tǒng)目前廣泛使用Ⅲ- V族太陽電池。所謂Ⅲ-V族 太陽電池是指采用化學(xué)元素周期表中第Ⅲ族和第V族元素材料制作成的太陽電池。與硅基材料相比.基于Ⅲ- V族半導(dǎo)體多結(jié)太陽電池具有極高的轉(zhuǎn)換效率，大約比硅太陽電池高50%。Ⅲ- V族半導(dǎo)體具有比硅高得多的耐高溫特性，在高輻照度下仍具有很高的轉(zhuǎn)換效率，因此可以采用高倍聚光技術(shù)，這意味著產(chǎn)生同樣多的電能只需要很小的太陽電池芯片。多結(jié)技術(shù)個獨特的方 面就是可選擇不同的材料進行組合，使它們的吸收光譜和太陽光譜接近一致， 相對于晶體硅,這是巨大的優(yōu)勢。后者的轉(zhuǎn)換效率已近極限，而理論上多結(jié)器件的轉(zhuǎn)換效率可達68%。目前使用多的是由鍺、砷銦鎵(或砷化鎵)、鎵銦磷三種不同的半導(dǎo)體材料形成三個P-N結(jié)。在這種多結(jié)太陽電池中，不但這三種材料的晶格常數(shù)基本匹配，而且每一種半導(dǎo)體材料具有不同的禁帶寬度，分別吸收不同波段的太陽光光譜，從而可以對太陽光進行全譜線吸收。圖5-2所示是典型的三結(jié)Ⅲ一V族太陽電池量子效率相應(yīng)曲線。

　　HCPV芯片的生產(chǎn)過程如下:首先利用MOCVD技術(shù)在4in鍺襯底上外延砷化鎵和鋼镲磷形成三結(jié)電池片的材料然后在外延片上利用光刻、PECVD蒸鍍等技術(shù)，制備減反射膜及主要成分為銀的金屬電極，再經(jīng)劃片清洗等工藝，生產(chǎn)出HCPV芯片。HCPV芯片的主要生產(chǎn)商有美國的Specrolab、Emcore、JDSU公司，德國的Azurspace公司，加拿大的Cyrium公司，中國臺灣的Arima、Epistar和中國乾照公司等。 

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